SK하이닉스가 급증하는 메모리 반도체 수요에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 1기 팹에 대한 신규시설투자비 21조6천억원을 집행합니다.

오늘(25일) SK하이닉스는 이사회에서 이러한 내용을 의결했다고 밝혔습니다.

투자기간은 다음달 1일부터 2030년 12월 31일까지입니다.

이로써 1기 팹 건설에 투입되는 전체 금액은 지난 2024년 7월 발표된 약 9조4천억원을 더해 총 31조원에 이릅니다.

SK하이닉스는 이번 투자에 대해 "빠르게 증가하는 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화하기 위한 전략적 결정"이라고 밝혔습니다.

인공지능(AI), 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업이 확산함에 따라 고성능 반도체 수요가 크게 늘고 있는 만큼 생산 역량을 조기 확충하겠다는 방침입니다.



구체적으로 이번 투자금액은 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고 페이즈(Phase) 2~6에 이르는 전체 클린룸을 구축하는 데 활용될 예정입니다.

이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성됩니다.

클린룸 오픈 시점 역시 내년 5월보다 3개월 앞당겨 내년 2월로 예정됐습니다.

SK하이닉스는 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이고, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했습니다.

당초 계획 대비 공장 규모를 1.5배 확대하고 극자외선(EUV) 노광장비를 비롯한 첨단 장비를 도입하는 등 AI 메모리 수요의 지속 증가에 대비할 예정입니다.

SK하이닉스는 "조기 가동 준비 상황에 맞춰 실질적인 운영 체계를 적기에 구축해 미래 수요에 민첩하게 대응할 수 있도록 만전을 기하겠다"며 "지속적인 생산 역량 확대로 고객과의 신뢰를 높이고 글로벌 반도체 시장 주도권을 공고히 해나갈 계획"이라고 밝혔습니다.

또한 이번 투자를 기점으로 클러스터 내 50여 개 협력사와의 상생 생태계 구축에도 속도를 내겠다고 덧붙였습니다.

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장한별(good_star@yna.co.kr)